目前DDR5内存的最低时序为CL30。不同型号和品牌的 DDR5 内存可能会有略微不同的时序参数，具体以内存模块的规格说明为准。一般来说时序参数越低，内存读取和写入数据的速度就越快。
答：目前为CL30。
CL是时序中第一个也是最重要的一个参数，所以一般我们主要以CL来看时序。
由于CL会随着频率增加而增加，所以ddr5的时序是会比ddr4和ddr3更高的，但不代表ddr5性能差。
ddr5时序介绍
1、CL（CAS延迟）：
CAS延迟是内存模块响应处理器发出读取请求的延迟时间。CL值越低，内存响应读取请求的速度就越快。
2、tRCD（RAS到CAS延迟）：
RAS到CAS延迟表示在行地址选通后，列地址选择线需要多长时间才能输出数据。较低的tRCD可以提高内存读取效率。
3、tRP（行预充电延迟）：
行预充电延迟指的是在关闭一个行之后，再打开另一个行所需要的时间。较低的tRP有助于加快内存的写入速度。
4、tRAS（行活跃时间）：
行活跃时间是内存芯片在执行读写操作后保持开放状态的时间。较短的tRAS可以提高内存的并行操作能力。
5、tRC（行周期时间）：
行周期时间是连续两次内存操作之间的最小时间间隔。较短的tRC可以加快内存的连续读写速度。
总而言之，时序是内存条中比较不重要的一个方面，对于一般用户来说不需要考虑。
