根据韩联社报道，三星电子预计将在下周宣布，他们将开始大规模生产3纳米芯片，而下一代的3纳米芯片将使用GAA技术。

　　三星官方介绍称，与现有的FinFET工艺相比，新的“GAA（Gate-All-Around）”技术将使芯片面积减少45%，同时性能提高30%，功耗降低50%。

　　三星与台积电在芯片制造领域一直都保持着激烈的竞争。全球最大的合约芯片制造商台积电表示，它将在今年下半年开始大规模生产3纳米芯片。而此前三星表示，其2纳米工艺节点正处于早期开发阶段，计划在2025年实现量产。