DDR5内存几个月前才成为主流，但三星已经在下一代DDR6内存的早期开发过程中。

　　三星证实，DDR6内存的早期开发已经开始，利用MSAP技术，目标是提供高达17000 Mbps的速度。

　　在韩国水原的一次研讨会上，三星负责测试和系统封装（TSP）的副总裁透露，封装技术需要随着未来内存本身性能的扩展而发展。该公司证实，它已经处于下一代DDR6内存的早期开发阶段，将利用MSAP封装技术。

　　据三星称，其竞争对手（SK Hynix和Micron）已在DDR5中使用MSAP。那么MSAP有什么新功能呢？MSAP或改进的半加性工艺允许DRAM制造商制造具有更精细电路的内存模块。这是通过在之前未触及的空白空间中涂覆电路图案来实现的，从而实现更好的连接和更快的传输速度。下一代DDR6内存不仅将利用MSAP来增强电路连接，还将适应将并入DDR6内存的层数增加。

　　先前的拉幅方法仅在圆形铜板的涂层区域形成电路图案，而其他区域则被蚀刻掉。

　　但在MSAP中，除了电路之外的区域被涂覆，空白空间被镀，从而允许更精细的电路。这位副总裁说，随着内存芯片的容量和数据处理速度的提高，封装的设计必须与之相适应。随着层数的增加和过程变得更加复杂，预计内存封装市场也将呈指数增长。

　　在扇出封装技术方面，三星同时采用了扇出晶圆级封装（FO-WLP）和扇出面板级封装（FO-PLP），这是另一种将输入/输出端子放置在芯片外部的封装技术，以使芯片在保持球形布局的同时变得更小。

　　通过ELEC，韩国电子工业媒体

　　三星预计其DDR6设计将于2024年完成，但预计2025年后不会投入商业使用。就规格而言，DDR6内存的速度将是现有DDR5内存的两倍，传输速度高达12800 Mbps（JEDEC），超频速度超过17000 Mbps。目前，三星最快的DDR5 DIMM传输速度高达7200 Mbps，因此JEDEC的传输速度提高了1.7倍，下一代内存芯片的超频速度提高了2.36倍。

　　话虽如此，内存制造商已经强调在未来DDR5-12600的速度，所以DDR5肯定有潜力成为消费者平台。今年晚些时候，随着AMD的Zen 4和Intel的Raptor Lake CPU平台的推出，预计DDR5内存模块的速度会更快，性能也会更好。